Mikä on radioaktiivisten hiukkasten implantaatiohoito

Radioaktiivisten hiukkasten implantoinnin koko nimi on "radioaktiivisten hiukkasten välinen implantaatio", joka on uusi lyhyen kantaman säteilytekniikka ja kasvainten tarkka hoito. Sen periaatteena on istuttaa mikroradioaktiivinen lähde kasvaimeen kuvantamisen (TT tai ultraääni) ohjauksessa, jotta kasvain saa erittäin konformisen ja erittäin intensiteettiä moduloivan hoidon. Se antaa suuren annoksen säteilyä paikallisesti kasvaimeen, mutta ympäröivät elimet eivät vahingoitu. Lääkäri istuttaa etukäteen tehdyn hoitosuunnitelman mukaisesti TT:n tai B-ultraäänen ohjauksessa radioaktiivisia hiukkasia, joiden pituus on 4,5 mm ja halkaisija 0,8 mm kasvaimen kohdealueelle. . Radioaktiiviset hiukkaset säteilevät elimistössä jatkuvasti säteilyä, joka voi merkittävästi lisätä kasvaimen saamaa annosta ja saavuttaa konformisen hoidon suuren annoksen kohdealueella. Se voi säteilyttää jatkuvasti erityyppisiä kasvainsoluja, lisätä säteilyn biologista vaikutusta ja parantaa sädehoidon terapeuttista vaikutusta.

Vaikka radioaktiivisten hiukkasten istutuksesta kasvainkudosten väliin syntyvä säteilyenergia ei ole suuri, se voi edelleen vaikuttaa kasvainsoluihin ja tappaa kasvaimen kantasoluja jatkuvasti. Riittävän annoksen ja puoliintumisajan jälkeen kaikki kasvainsolut voivat menettää kykynsä lisääntyä ja saavuttaa täydellisen hävittämisen terapeuttisen vaikutuksen. Koska radioaktiivisten hiukkasten lähteen lähettämällä säteilyllä on lyhyt tunkeutumisetäisyys, tehollinen kantama 1,7 cm, se ei vahingoita ympäröivää normaalia kudosta. Eikä se aiheuta systeemisiä oireita. Samalla kun se tappaa kasvainsoluja mahdollisimman suuressa määrin, vähentää ympäröivän normaalin kudoksen vaurioita.